Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
MRAM nie upowszechni się szybko
17 lipca 2006, 10:04Firma analityczna Gartner uważa, że magnetorezystywne układy pamięci (MRAM), nie trafią do powszechnego użycia przed 2010 rokiem. Przed kilkoma dniami firma Freescale Semiconductor poinformowała o rozpoczęciu produkcji tego typu kości.
Barcelona oficjalnie
10 września 2007, 07:42Dziesiąty września to dzień oficjalnej rynkowej premiery procesora Barcelona firmy AMD. Długo oczekiwany i opóźniony o pół roku układ jest pierwszym w historii „prawdziwym” czterordzeniowcem, a jego producent liczy, iż Barcelona wydobędzie go z kłopotów finansowych i pozwoli na ponowne nawiązanie równorzędnej walki z Intelem.
Grafenowa pamięć
25 listopada 2008, 13:00Profesor James Tour oraz Yubao Li i Alexander Sinitskii z Rice University zauważyli, że grafitowa płytka o grubości zaledwie 10 atomów może świetnie sprawdzić się przy produkcji pamięci komputerowych, których właściwości są znacznie lepsze niż obecnie stosowanych układów flash.
Materiały zmiennofazowe mogą zastąpić krzem
19 września 2014, 19:24Ograniczenia wielkości oraz prędkości współczesnych procesorów i układów pamięci można pokonać zastępując krzem materiałami zmiennofazowymi (PCM). Materiały takie są w stanie w ciągu miliardowych części sekundy zmieniać swoją strukturę pomiędzy przewodzącą krystaliczną a nieprzewodzącą amorficzną
Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
Źródło dużych grup fotonów – pierwszy fotonowy "scalak"
9 lutego 2017, 11:15Holograficzna pamięć atomowa, wymyślona i skonstruowana przez fizyków z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, jest pierwszym urządzeniem zdolnym na żądanie generować pojedyncze fotony w grupach liczących po kilkadziesiąt i więcej sztuk.
Płyta główna z kośćmi DDR3
15 lipca 2007, 08:05W ofercie ASUS-a znalazła się płyta główna P5K3 Premium z intelowskim chipsetem P35 Express. Od innych podobnych urządzeń różni się ona tym, że producent sprzedaje ją wraz z dwoma gigabajtami pamięci DDR3 taktowanymi 1333-megahercowym zegarem.
Pamięć komórki
28 stycznia 2009, 09:33Do tej pory pamięć wiązano ze wzmacnianiem połączeń między określonymi grupami neuronów. Teraz dr Don Cooper z University of Texas Southwestern Medical Center odkrył, że komórki nerwowe z przedniej części mózgu mogą przez krótki czas – minutę, a może dłużej - przechowywać informacje "na własną rękę".
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 …
